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    • 专利摘要:
    本發明提供一種小型化且好用、原始成本及運轉成本均低之真空成膜裝置。於成膜腔室(2)內設置工件固定座(10)及磁控電極(15)。於磁控電極(15)上設置第1靶材料(16)，以與該第1靶材料(16)重疊之方式設置第2靶材料(17)。第2靶材料(17、17)設為可採用覆蓋第1靶材料(16)之位置、及開放之位置的2個位置。對工件固定座(10)與第1、2靶材料(16、17)之間，可選擇地施加直流電壓與高頻電壓。
    公开号:TW201321540A
    申请号:TW101138608
    申请日:2012-10-19
    公开日:2013-06-01
    发明作者:Shoso Nishida；Shiro Takigawa
    申请人:Japan Steel Works Ltd；
    IPC主号:C23C14-00
    专利说明:
    真空成膜方法及真空成膜裝置
    本發明係關於一種將經射出成形而得之成膜用工件搬入至成膜腔室並使其成膜的真空成膜方法及真空成膜裝置，並無限定，尤其係關於一種亦可繼續形成聚合膜之真空成膜方法及真空成膜裝置。
    作為於成膜用工件之表面之一部分具有0.01~數μm級之薄膜之製品，例如可列舉配備於汽車上之前燈。該前燈係藉由蒸鍍裝置、濺鍍裝置、或化學氣相沈積(CVD，Chemical Vapor Deposition)成膜裝置而製造，此種真空成膜裝置亦可應用於磁碟之生成、壓縮光碟(CD，Compact Disc)/數位視訊光碟(DVD，Digital Video Disc)之記錄面之金屬膜之生成、液晶顯示裝置之透明電極之生成、光觸媒膜之生成。具有此種薄膜之製品係藉由射出成形而使成膜用工件成形，而且，安裝於真空狀態之成膜腔室中，其次，藉由如下所述之成膜要素而形成薄膜。又，保護基板上之有機發光層之保護膜亦可藉由相同之真空成膜裝置而形成。
    作為於此種成膜用工件之表面形成薄膜之蒸鍍方法或成膜方法，先前周知者為乾式塗佈法，例如已知如下方法，即，預先使成膜用工件之表面與靶材料對向，於數Pa~數10 Pa左右之氬氣環境中對靶材料施加300~數kV之負電壓，而且使其放電而形成薄膜的濺鍍方法；於真空室中將自電子槍產生之電子束照射至靶材料且使其加熱蒸發，而於成膜用工件之表面成膜的電子束蒸鍍方法；對基板施加300~數kV之負電壓，於數Pa之氬氣之壓力下進行真空蒸鍍的離子電鍍方法；電漿成膜方法等；又，亦已知化學蒸鍍法。
    亦已知以上述方式形成薄膜，繼續形成於該薄膜上重疊之形式之膜即聚合膜的成膜方法。該先前周知之成膜方法包括以下步驟等，即，將經射出成形而得之成膜用工件搬入至低真空狀態之前室；轉移至高真空狀態之濺鍍室，而使薄膜成膜；其次，轉移至中真空狀態之聚合室，而以積層之形式形成聚合膜；然後，經由低真空狀態之取出室而作為製品取出。實施上述多個步驟之室包括前室、濺鍍室、聚合室、取出室等，而有裝置整體大型化且原始成本較高之缺點。又，由於整體之室之容積較大，故而亦存在如下問題，即，真空處理花費時間，消耗能量亦增加，運轉成本亦變高。
    又，於藉由上述乾式塗佈法成形薄膜時，若於成膜用工件、成膜腔室等中存在水分，則會損害膜之生成，尤其係薄膜對成膜用工件之表面之密接性。因此，於將成膜用工件搬入至成膜腔室之後且進入至實質性之成膜動作之前，使成膜腔室內為1×10-3 Pa左右之高真空，而進行除去水分之前處理。為進行上述前處理，而消耗能量增加，成膜花費較長之時間，且成本變高。 [先前技術文獻] [專利文獻]
    [專利文獻1]日本專利特開2011-58048號公報
    專利文獻1中表示於成膜腔室內包括成膜用之靶、及聚合膜用之靶之2個靶的成膜裝置。對該等靶分別設置擋板，而且配置成橫向一排。以與成膜用之靶、及聚合膜用之靶對應之方式設置的成膜用工件之支撐部於該等靶之間移動。又，上述專利文獻1中表示如下真空成膜方法，即，將自成形機中取出之成膜用工件一面藉由例如熱風保溫為40℃以上一面朝真空成膜用腔室移載，而且，於減壓後使其成膜。
    專利文獻1所示之真空成膜方法或成膜裝置因於1個成膜腔室內設置有成膜用及聚合膜用之2個靶電極，故而若與先前之包括2個成膜腔室之周知之裝置相比，則變得小型化，原始成本及運轉成本均於某程度上得到降低。然而，認為存在改良之餘地。例如，由於將2個靶電極配置成橫向一排，故而於橫方向較長，成膜裝置本體必定未成為小型化。又，由於成膜裝置較大，換言之，由於成膜腔室之容積較大，故而排氣用之真空泵等之容量較大，排氣時間亦較長，原始成本及運轉成本均變高。
    又，專利文獻1中記載之成膜用工件由於得到保溫，故而可期待某程度上之水分除去，但是，可以說加溫保持由於如下原因而為無特別意義之無用之處理。一般而言，將經射出成形而得之成形品即成膜用工件於高於室溫之狀態下自模具中取出，但是，於如上述般高於室溫之狀態下，受自成膜用工件釋出之氣體之支配，而不可能實現水分之吸藏。若進一步進行說明，則一般而言，認為樹脂成形品於成形後，於達到常溫後，保持著釋出氣體與水分吸藏之平衡狀態，於約4小時內穩定。若於既定時間內搬入至成膜裝置本體內，則溫度下降較小，儘管無水分之問題，但由於噴附熱風以保持為40℃以上，故而會徒勞地消耗能量。
    又，若對腔室內急遽地進行減壓，則因絕熱減壓而導致腔室內之溫度急遽下降。其結果，於腔室之內壁產生冷凝。由於亦未特別採取應對此種現象之對策，故而必需於排除冷凝水後進入成膜動作，故而成膜花費時間。若緩慢地進行減壓，則即便可避免冷凝，由於排氣花費時間，結果，成膜時間亦變長。
    因此，本發明之目的在於提供一種可以低廉之設備費、且較低之運轉成本形成包括單層之薄膜、及積層於該薄膜上之形式之聚合膜的真空成膜方法及用於該方法之實施的真空成膜裝置。
    為達成上述目的，本發明係藉由射出成形而使成膜用工件成形。於該射出成形中，如先前周知般，應用固定側模具及可動側模具。將自模具中取出之成膜用工件搬入至成膜腔室，然後使其成膜。此時，將成膜用工件取出且搬入至成膜腔室時之外部氣體溫度、或工廠內之室溫於夏季之高溫時亦為大致30~35℃以下。另一方面，自模具中取出之成膜用工件之溫度遠遠高於室溫，例如為80℃左右。因此，成膜用工件受到自其表面釋出之氣體之支配，而成膜用工件不會吸藏水分。而且，樹脂製之成膜用工件由於為熱之不良導體，故而無急遽之溫度下降。因此，於本發明中，將自模具取出之成膜用工件不特別地進行加溫等溫度處理地搬入至成膜腔室。此時，成膜腔室內調溫成取出成膜用工件時之大致模具溫度即成膜用工件未再次熔融之程度之約80℃，而預先除去成膜腔室內之水分。由於除去水分，故而可快速減壓而縮短成膜時間。
    於可進行減壓、亦可導入惰性氣體或單體之成膜腔室內，設置載置成膜用工件之工件固定座、及與該工件固定座對向且視需要重疊地安裝靶材料之磁控電極。即，於磁控電極上設置第1靶材料，且以與該第1靶材料重疊之方式設置第2靶材料。構成為該第2靶材料採用覆蓋第1靶材料之位置、及使其開放之避讓位置。
    將成膜用工件搬入至上述成膜腔室內，而且對工件固定座與設置於磁控電極上之第1、2靶材料之間選擇性地施加直流電壓(DC，Direct Current)與高頻電壓(RF，Radio Frequency，射頻)，而於成膜工件上形成薄膜，又，於薄膜上使聚合膜成形。
    即，為達成上述目的，第1發明構成為一種真空成膜方法，其特徵在於：將經射出成形而得之成膜用工件安裝於以設置於磁控電極上之第1、2靶材料於與工件固定座對向之方向重疊之方式配置的成膜腔室之上述工件固定座上，對上述成膜腔室內進行減壓，使上述第2靶材料退避，對上述第1靶材料與上述工件固定座之間施加電壓，而利用上述第1靶材料，於上述成膜用工件之表面形成薄膜。
    第2發明構成為一種真空成膜方法，其特徵在於：將經射出成形而得之成膜用工件安裝於以設置於磁控電極上之第1、2靶材料於與工件固定座對向之方向重疊之方式配置的成膜腔室之上述工件固定座上，對上述成膜腔室內進行減壓，利用上述第2靶材料覆蓋上述第1靶材料，對上述第2靶材料與上述工件固定座之間施加電壓，而利用上述第2靶材料，於上述成膜用工件之表面形成薄膜。
    第3發明構成為一種真空成膜方法，其特徵在於：藉由如第1發明之方法形成薄膜，其次，將聚合用單體導入至上述成膜腔室內，利用上述第2靶材料覆蓋上述第1靶材料，對上述第2靶材料與上述工件固定座之間施加電壓，而以積層於上述薄膜上之形式形成聚合膜。
    第4發明構成為一種真空成膜方法，其特徵在於：藉由第1或2發明之方法形成薄膜，其次，將聚合用單體導入至上述成膜腔室內，對上述第1靶材料或上述第2靶材料與上述工件固定座之間施加電壓，而以積層於上述薄膜上之形式形成聚合膜。
    第5發明構成為如第1至4發明中任一項之真空成膜方法，其中，對上述靶材料施加高頻，除去附著於該靶材料之表面之絕緣物，而形成薄膜或聚合膜。
    第6發明構成為如第1至5發明中任一項之真空成膜方法，其中，於自射出成形用之模具中取出之成膜用工件低於室溫之前，將其搬入至調溫至取出該成膜用工件後之上述模具之溫度附近的成膜腔室內，而形成薄膜或聚合膜。
    第7發明構成為一種真空成膜裝置，其於控制為所需環境之成膜腔室內，設置有載置成膜用工件之工件固定座、及可安裝靶材料之磁控電極，該真空成膜裝置之特徵在於：於上述磁控電極上設置第1靶材料，於該第1靶材料上以重疊之方式設置第2靶材料，上述第2靶材料設為可採用覆蓋上述第1靶材料之位置、及使其開放之位置的2個位置。
    第8發明構成為如第7發明之真空成膜裝置，其中，對上述工件固定座與第1、2靶材料之間，選擇性地施加直流電壓與高頻電壓。
    第9發明構成為如第7或8發明之真空成膜裝置，其中，上述第2靶材料包括2片板狀之電極，該2片電極左右對開地得到驅動，而覆蓋上述第1靶材料，又，使其開放。
    第10發明構成為如第7至9發明中任一項之裝置，其中，於上述成膜腔室中，設置有2個惰性氣體導入口、及2個排氣口，上述1個惰性氣體導入口及1個排氣口設置於上述靶電極之背面側。
    如上所述，根據本發明，於控制為所需環境之成膜腔室內，設置有載置成膜用工件之工件固定座、及可安裝靶材料之磁控電極，於磁控電極上設置第1靶材料，於該第1靶材料上以重疊之方式設置第2靶材料，第2靶材料可採用覆蓋第1靶材料之位置、及使其開放之位置的2個位置，因此，即，雖包括第1、2之2個靶材料，但由於以與工件固定座對向之方式重疊設置該等靶材料，故而與相對於工件固定座沿橫方向並排設置之先前之裝置相比，變得小型化。藉此，成膜腔室之容積變小，而可應用容量較小之排氣泵。因此，可獲得可提供經濟之真空成膜裝置之效果。又，由於成膜腔室之容積較小，故而可節能地於短時間內減壓為既定壓力。因此，亦可獲得可以低運轉成本藉由第1、2發明所記載之方法形成薄膜之效果。
    又，根據本發明，由於第2靶材料係以可採用覆蓋第1靶材料之位置、及使其開放之位置之2個位置之方式可驅動地設置，故而可適當區分使用第1、2靶材料，於成膜用工件之表面形成薄膜，亦可以積層於該薄膜上之形式，藉由第3發明所記載之方法形成聚合膜。此時，可不使靶材料及工件固定座移動地形成聚合膜。
    根據另一發明，由於將成膜腔室內調溫至取出成膜用工件之模具之溫度附近，故而除去成膜腔室內之水分。因此，可獲得可將成膜工件搬入至成膜腔室且快速地進行減壓而形成薄膜之效果。
    進而，根據另一發明，由於2個中之1個惰性氣體導入口及1個排氣口設置於靶電極之背面側，故而亦可容易地於短時間內將惰性氣體導入至靶電極之背面側之狹小空間，且可完全地排出，因此，可以較短之形成週期形成高品質之薄膜。
    以下，利用圖1對本發明之真空成膜裝置之實施形態進行說明。概略上，如圖1所示，本實施形態之真空成膜裝置包括包含成膜腔室2之成膜裝置本體1、使成膜用工件射出成形之成形機、及將於成形機中成形之成膜用工件搬送至成膜腔室2之轉移裝置。然而，由於成形機及轉移裝置均可以先前周知之形態實施，故而於圖1中未表示。
    成膜腔室2以呈大致長方體之方式由框體而構成。於圖1中，於左側之側部之開口部，設置有沿相對於紙面為垂直方向滑動地得到驅動之開閉門。打開該開閉門，而將成膜用工件搬入搬出成膜腔室2內，藉由關閉該開閉門，可將內部保持為氣密。以如上方式構成之成膜腔室2之包括開閉門之內周面由鋁製之板材覆蓋，其表面得到矽塗佈，於外周面貼附有橡膠片發熱體(Rubber Sheet heater)。藉由該橡膠片發熱體，而將內部之溫度保持為成形機之模具溫度，更正確而言為接近取出成膜用工件時之模具溫度之溫度，例如雖亦根據樹脂之種類而不同，但為80℃左右。由於若為80℃以上，則亦存在成膜用工件熱變形之情況，故而亦包括冷卻裝置。即，以成為80℃左右之方式進行調溫。
    圖1中雖未正確地表示，但於使成膜用工件出入成膜腔室內之台車6之前端部，設置有挖有多個細孔之既定高度之整流板7。經由該整流板7，於將開閉門打開時，可排出自下述乾氣體儲罐略加壓而吹入至成膜腔室2之乾氣體。藉此，可防止高溫多濕時水分過分地侵入至成膜腔室2，而縮短真空泵之運轉時間。
    上文亦進行了敍述，作為真空成膜裝置，先前周知者為濺鍍成膜裝置、電子束蒸鍍裝置、離子電鍍成膜裝置等，亦周知濺鍍方式之成膜裝置有直流式、高頻式、磁控式等，故而不進行詳細之說明。又，若將有機氣體導入至主要藉由輝光放電而獲得之低溫電漿，則逐漸使分子量增加，自電漿空間沈積於成膜工件表面而形成聚合膜，該成膜裝置亦眾所周知，故而不進行詳細之說明。
    以下，對圖1示意性地表示之成膜要素進行說明。於成膜腔室2之底板4之既定位置設置有工件固定座10。該工件固定座10以沿上下方向自底板4至既定高度、且沿旋轉方向旋轉360度以上之方式得到驅動。由於工件固定座10與成膜腔室2之壁面導通，故而若對壁面施加例如正電壓，則亦對工件固定座10施加電壓。
    與工件固定座10對向地於其上方空間設置有磁控電極15即(及)襯板。於該磁控電極15上設置有第1靶材料16，以與該第1靶材料16重疊之方式設置有第2靶材料17。第2靶材料17、17於圖1中表示為左右對開地打開之狀態，若關閉，則可與第1靶材料16重疊而覆蓋第1靶材料16。由於如上述般第1、2靶材料16、17重疊，故而可使2種不同之薄膜成膜。而且，不論可使2種不同之薄膜成膜之裝置如何，成膜腔室2均儘可能地於橫方向上小型化。又，可不使成膜用工件沿橫方向移動地形成聚合膜。第2靶材料17、17視需要而覆蓋第1靶材料16，而且包括開放之一對平板。一對板狀之第2靶材料17、17之端部安裝於各自之驅動臂18、18之前端部。驅動臂18、18之另一端部由絕緣墊圈19、19旋轉自如地軸支。因此，若藉由未圖示之活塞氣缸單元等對驅動臂18、18進行驅動，則第2靶材料17、17左右對開地開閉。由於左右對開地開閉，故而設置有包括2片平板之第2靶材料17、17，但成膜腔室2不會過度地擴大。
    於成膜腔室2之外部，如以下所說明般設置有直流電源(DC)、高頻電源(RF)、單體儲罐等。即，於成膜腔室2之上部之蓋體上，隔著未圖示之絕緣蓋體21且藉由同樣未圖示之樹脂製螺栓安裝有電源端子20。該電源端子20越過磁鐵盒而到達磁控電極15。而且，其電源線纜22連接於磁控電極15。對磁控電極15即(及)襯板，視需要而自外部供給冷卻水，且於襯板內循環，而可冷卻磁控電極15或第1、2靶材料16、17。再者，供給至襯板之冷卻水於本實施形態中構成為自1個部位導入，於內部循環而自導入口附近排出。藉此，密封冷卻水之部分縮短。
    根據本實施形態，包括直流電源(DC)及高頻電源(RF)。直流電源25經由濾波器26而連接於開關裝置29，高頻電源27經由匹配器(Matching Box)28而連接於開關裝置29。自開關裝置29藉由線纜22而對磁控電極15施加負電壓，正電壓經由線纜23等而施加至成膜腔室2之壁面，因而，施加至工件固定座10。對磁控電極15施加之電壓施加至第1靶材料16，若第2靶材料17、17成為與第1靶材料16重疊之狀態，則亦對第2靶材料17、17施加電壓。若切換開關裝置29，則可施加高頻電壓而代替直流電壓。
    於成膜腔室2之上壁，連接於如氬氣般之惰性氣體儲罐之第1、2惰性氣體導入管31、32開口，於側壁，連接於氧氣或氮氣儲罐之氣體導入管40、單體導入管43及乾氣體導入管47開口，於底壁，真空處理管即抽吸至低真空度之粗抽管50開口。
    於第1惰性氣體導入管31上介裝有流量控制閥33及電磁開閉閥34。該管31於成膜腔室2之較大之部分開口而構成主導入管。於第2惰性氣體導入管32上介裝有針閥35及電磁開閉閥36。該第2惰性氣體導入管32為輔助之導入管，藉由該管，而將惰性氣體供給至靶電極15之背面側之狹小空間。自第2惰性氣體導入管32分支出介裝有排氣用閥37之抽吸管38。該抽吸管38之終端連接於粗抽管50。藉由該抽吸管38，而將容易滯留於靶電極15之背面側之狹小部位的惰性氣體等無用氣體大致完全排出。
    於單體導入管43上介裝有單體導入閥44及單體用流量控制閥45，而且連接於單體儲罐46。乾氣體導入管47經由通氣閥48而連接於乾氣體儲罐49。於粗抽管50上介裝有伺服蝶閥(Servo butterfly valve)51、乾式泵52及旋轉式泵53，而且於大氣中開口。
    如上所述，本實施形態之真空成膜裝置包括工件固定座10、磁控電極15、直流電源25、高頻電源27、開關裝置29等，而且於磁控電極15上設置第1靶材料16，且可以與第1靶材料16重疊之方式設置第2靶材料17，因此，藉由適當地組合上述內容，可形成各種薄膜，以下，對其代表性之成膜例進行說明。
    如先前周知般，使熔融樹脂射出至包括固定側模具及可動側模具之模穴，而使成膜用工件W成形。於某程度上冷卻固化後，例如模具溫度下降至80℃左右後，打開可動側模具，取出成膜用工件W。此時之模具溫度、因而成膜用工件之溫度雖亦根據樹脂之種類而不同，但為大致80℃。搬入至預先調溫至與模具溫度同程度之80℃之成膜腔室2，且安裝於工件固定座10上。使旋轉式泵53啟動，使成膜腔室2內快速減壓為既定之壓力值。由於即便進行快速減壓，亦加熱至80℃左右，而除去水分，故而不會冷凝。自第1惰性氣體導入管31導入惰性氣體、例如氬氣。又，自第2惰性氣體導入管32亦將氬氣導入至磁控電極15之背面側。藉此，成膜腔室2內成為所需環境。其次，將工件固定座10驅動至既定高度，而且一面以既定速度進行旋轉驅動，一面以如下方式成膜。
    (1)利用第1靶材料16形成薄膜之成膜方法。
    作為第1靶材料16，例如於磁控電極15上設置鋁。打開亦發揮覆蓋作用之第2靶材料17、17。於是，第1靶材料16如圖1所示般開放並露出，而與成膜用工件W對向。
    (a)若對磁控電極15與工件固定座10之間施加DC電壓，則可利用第1靶材料16，於成膜用工件W之表面形成薄膜。
    (b)或，切換開關裝置29，施加RF電壓，而形成薄膜。
    (2)利用第2靶材料17、17形成薄膜之成膜方法。
    於第2靶材料17、17中採用其他種類之材料、例如不鏽鋼。將第2靶材料17、17朝閉方向驅動，覆蓋第1靶材料16，而保護第1靶材料16。第2靶材料17與成膜用工件W對向。
    (a)若對磁控電極15與工件固定座10之間施加DC電壓，則可利用第2靶材料17，於成膜用工件之表面形成薄膜。
    (b)或，藉由開關裝置29切換為RF電壓，而形成薄膜。
    (3)形成第一層之薄膜，且於其上繼續形成聚合膜之成膜方法。
    如上所述，利用第1靶材料16或第2靶材料17形成薄膜。其次，自單體導入管43將單體導入至成膜腔室2內，而設為既定環境。而且，
    (a)對第1靶材料16與工件固定座10之間施加DC電壓，而於薄膜上形成聚合膜。
    (b)或，利用第2靶材料17、17覆蓋並保護第1靶材料16。而且，對第2靶材料17、17與工件固定座10之間施加DC電壓，而於薄膜上形成聚合膜。
    (c)或，藉由開關裝置29切換為RF電壓，而形成薄膜。
    於以上述方式成膜時，存在絕緣物附著於第1靶材料16或第2靶材料17而導致直流放電不穩定之情況。於此種情況下，或於每運行既定時間時，便利用RF敲擊靶材料之表面、即進行預濺鍍，而除去作為表面之氧化物的絕緣物。以下，以與上述方法相同之方式形成薄膜或聚合膜。
    W‧‧‧成膜用工件
    1‧‧‧成膜裝置本體
    2‧‧‧成膜腔室
    4‧‧‧底板
    6‧‧‧台車
    7‧‧‧整流板
    10‧‧‧工件固定座
    15‧‧‧磁控電極
    16‧‧‧第1靶材料
    17‧‧‧第2靶材料
    18‧‧‧驅動臂
    19‧‧‧絕緣墊圈
    20‧‧‧電源端子
    22‧‧‧電源線纜
    23‧‧‧線纜
    25‧‧‧直流電源
    26‧‧‧濾波器
    27‧‧‧高頻電源
    28‧‧‧匹配器
    29‧‧‧開關裝置
    31‧‧‧第1惰性氣體導入管
    32‧‧‧第2惰性氣體導入管
    33‧‧‧流量控制閥
    34‧‧‧電磁開閉閥
    35‧‧‧針閥
    36‧‧‧電磁開閉閥
    37‧‧‧排氣用閥
    38‧‧‧抽吸管
    40‧‧‧氣體導入管
    43‧‧‧單體導入管
    44‧‧‧單體導入閥
    45‧‧‧單體用流量控制閥
    46‧‧‧單體儲罐
    47‧‧‧乾氣體導入管
    48‧‧‧通氣閥
    49‧‧‧乾氣體儲罐
    50‧‧‧粗抽管(抽吸管)
    51‧‧‧伺服蝶閥
    52‧‧‧乾式泵
    53‧‧‧旋轉式泵
    圖1係表示本發明之實施形態之真空成膜裝置之示意剖面圖。
    W‧‧‧成膜用工件
    1‧‧‧成膜裝置本體
    2‧‧‧成膜腔室
    4‧‧‧底板
    6‧‧‧台車
    7‧‧‧整流板
    10‧‧‧工件固定座
    15‧‧‧磁控電極
    16‧‧‧第1靶材料
    17‧‧‧第2靶材料
    18‧‧‧驅動臂
    19‧‧‧絕緣墊圈
    20‧‧‧電源端子
    22‧‧‧電源線纜
    23‧‧‧線纜
    25‧‧‧直流電源
    26‧‧‧濾波器
    27‧‧‧高頻電源
    28‧‧‧匹配器
    29‧‧‧開關裝置
    31‧‧‧第1惰性氣體導入管
    32‧‧‧第2惰性氣體導入管
    33‧‧‧流量控制閥
    34‧‧‧電磁開閉閥
    35‧‧‧針閥
    36‧‧‧電磁開閉閥
    37‧‧‧排氣用閥
    38‧‧‧抽吸管
    40‧‧‧氣體導入管
    43‧‧‧單體導入管
    44‧‧‧單體導入閥
    45‧‧‧單體用流量控制閥
    46‧‧‧單體儲罐
    47‧‧‧乾氣體導入管
    48‧‧‧通氣閥
    49‧‧‧乾氣體儲罐
    50‧‧‧粗抽管(抽吸管)
    51‧‧‧伺服蝶閥
    52‧‧‧乾式泵
    53‧‧‧旋轉式泵
    权利要求:
    Claims (13)
    [1] 一種真空成膜方法，其特徵在於：將經射出成形而得之成膜用工件安裝於以設置於磁控電極(15)上之第1、2靶材料(16、17)於與工件固定座(10)對向之方向重疊之方式配置的成膜腔室(2)之上述工件固定座(10)上，對上述成膜腔室(2)內進行減壓，使上述第2靶材料(17、17)退避，對上述第1靶材料(16)與上述工件固定座(10)之間施加電壓，利用上述第1靶材料(16)於上述成膜用工件(W)之表面形成薄膜。
    [2] 一種真空成膜方法，其特徵在於：將經射出成形而得之成膜用工件安裝於以設置於磁控電極(15)上之第1、2靶材料(16、17)於與工件固定座(10)對向之方向重疊之方式配置的成膜腔室(2)之上述工件固定座(10)上，對上述成膜腔室(2)內進行減壓，利用上述第2靶材料(17、17)覆蓋上述第1靶材料(16)，對上述第2靶材料(17)與上述工件固定座(10)之間施加電壓，利用上述第2靶材料(17)於上述成膜用工件(W)之表面形成薄膜。
    [3] 一種真空成膜方法，其特徵在於：藉由申請專利範圍第1項之方法而形成薄膜，其次，將聚合用單體導入至上述成膜腔室(2)內，利用上述第2靶材料(17)覆蓋上述第1靶材料(16)，對上述第2靶材料(17)與上述工件固定座(10)之間施加電壓，以積層於上述薄膜上之形式而形成聚合膜。
    [4] 一種真空成膜方法，其特徵在於：藉由申請專利範圍第1項之方法而形成薄膜，其次，將聚合用單體導入至上述成膜腔室(2)內，對上述第1靶材料(16)、或上述第2靶材料(17)與上述工件固定座(10)之間施加電壓，以積層於上述薄膜上之形式而形成聚合膜。
    [5] 一種真空成膜方法，其特徵在於：藉由申請專利範圍第2項之方法而形成薄膜，其次，將聚合用單體導入至上述成膜腔室(2)內，對上述第1靶材料(16)、或上述第2靶材料(17)與上述工件固定座(10)之間施加電壓，以積層於上述薄膜上之形式而形成聚合膜。
    [6] 如申請專利範圍第1至5項中任一項之真空成膜方法，其中，對上述靶材料(16、17)施加高頻，除去附著於該靶材料(16、17)之表面之絕緣物，而形成薄膜或聚合膜。
    [7] 如申請專利範圍第1至5項中任一項之真空成膜方法，其中，於自射出成形用之模具中取出之成膜用工件(W)低於室溫之前，將其搬入至調溫至取出該成膜用工件(W)後之上述模具之溫度附近的成膜腔室(2)內，而形成薄膜或聚合膜。
    [8] 如申請專利範圍第6項之真空成膜方法，其中，於自射出成形用之模具中取出之成膜用工件(W)低於室溫之前，將其搬入至調溫至取出該成膜用工件(W)後之上述模具之溫度附近的成膜腔室(2)內，而形成薄膜或聚合膜。
    [9] 一種真空成膜裝置，其於控制為所需環境之成膜腔室(2)內，設置有載置成膜用工件(W)之工件固定座(10)、及可安裝靶材料之磁控電極(15)，該真空成膜裝置之特徵在於：於上述磁控電極(15)上設置第1靶材料(16)，以重疊於該第1靶材料(16)上之方式設置第2靶材料(17)，上述第2靶材料(17)設為可採用覆蓋上述第1靶材料(16)之位置、及使其開放之位置的2個位置。
    [10] 如申請專利範圍第9項之真空成膜裝置，其中，對上述工件固定座(10)與第1、2靶材料(16、17)之間，選擇性地施加直流電壓與高頻電壓。
    [11] 如申請專利範圍第9項之真空成膜裝置，其中，上述第2靶材料(17、17)包括2片板狀之電極，該2片電極左右對開地得到驅動，而覆蓋上述第1靶材料(16)，並且使其開放。
    [12] 如申請專利範圍第10項之真空成膜裝置，其中，上述第2靶材料(17、17)包括2片板狀之電極，該2片電極左右對開地得到驅動，而覆蓋上述第1靶材料(16)，並且使其開放。
    [13] 如申請專利範圍第9至12項中任一項之真空成膜裝置，其中，於上述成膜腔室(2)中，設置有2個惰性氣體導入口(31、32)及2個排氣口(38、50)，上述1個惰性氣體導入口(32)與1個排氣口(38)設置於上述靶電極(15)之背面側。
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    法律状态:
    2017-06-11| MM4A| Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees|
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    JP2011230892A|JP5405549B2|2011-10-20|2011-10-20|真空成膜方法および真空成膜装置|
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